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  •      SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面都非常稳定。对于功率元器件来说的重要参数都非常优异。作为元件,具有优于Si半导体的低阻值,可以高速工作,高温工作,能够大幅度削减从电力传输到实际设备的各种功率转换过程中的能量损耗。以SiC为代表的宽禁带半导体材料及功率器件被公认将成为电子电力应用的一次革命,受到世界各国政府与产业界的广泛关注和高度重视,将成为增长潜力巨大的战略性产业。


         碳化硅与氮化镓均属于宽禁带半导体材料,它们具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点。由于SiC和GaN两种材料的特性不同,它们的应用领域也有所区别:GaN主要是用作微波器件,而SiC主要是作为大功率高频功率器件。预计到2022年氮化镓(GaN)功率元件产业将成长到4.6亿美元,年复合成长率高达79%。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用,尤其是高阶低/中压应用,GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。



    半导体材料带隙(eV)熔点(K)主要应用
    锗Ge1.11221
    硅Si0.71687低压、低频、中功率晶体管、光电探测器
    砷化镓GaAs1.41511微波、毫米波器件、发光器件
    碳化硅SiC3.052826
    氮化镓GaN3.419731.高温、高频、抗辐射、大功率器件
    氮化铝AlN6.224702.蓝、绿、紫发光二极管、半导体激光器
    金刚石C5.5大于3800
    氧化锌ZnO3.372248

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